WESEMiBAY 2026︱过滤，不止于更精细

当先进逻辑、HBM、Chiplet和先进封装不断推动工艺升级，半导体制造对洁净度的要求也持续提升。微小颗粒、凝胶、金属污染，以及CMP浆料中的异常团聚物，都可能在关键制程中被放大，影响工艺稳定性与良率表现。

因此，先进过滤产品需要回答的，已经不只是“能过滤到多少纳米”：

☑  能否在更高流量下保持高精度过滤？

☑  能否降低过滤器自身带来的析出风险？

☑  能否缩短冲洗和设备复线时间？

☑  能否去除异常颗粒，同时尽可能保持工艺介质原有特性？

在湿法清洗、湿法刻蚀和高纯化学品供应过程中，过滤器既要控制微小颗粒，也要关注材料洁净度、金属及有机物析出、流量表现和PM后的冲洗效率。任何一个环节的污染或恢复延迟，都可能影响设备可用性与稳定生产。

先进湿法与高纯化学品过滤

高纯化学品供应系统、湿法清洗、湿法刻蚀，以及POU电子级化学品过滤。

☑  高洁净材料体系

面向电子级化学品应用，关注材料兼容性和系统洁净要求。

☑  超低析出设计

降低金属离子及有机物析出带来的二次污染风险。

☑  精密污染控制

支持先进湿法工艺对微小颗粒控制的需求。

☑  更短冲洗时间

新一代表面改性PTFE膜平台有助于减少PM后的冲洗与恢复时间。

☑  高流量运行能力

XHF突出高流量应用价值，以适配高通量化学品供应需求。

把“过滤性能”转化为“产线效率”

XP2/XP1/XHF的传播重点不应只停留在过滤精度，而要突出更低污染风险、更短冲洗、更快复线和更稳定化学品供应，从而为良率提升与工具可用性提供支持。

光刻胶颗粒去除

光刻胶、显影液及相关光刻化学品中的颗粒和凝胶，可能影响图形转移精度。随着制程进一步演进，过滤系统既要提高颗粒控制能力，也要兼顾流量与稳定供应。

先进光刻化学品过滤

光刻胶、显影液及相关光刻化学品的颗粒去除。

☑  2nm级颗粒去除

面向先进光刻对微小颗粒控制的应用需求。

☑  不对称Nylon 66膜材

兼顾颗粒拦截能力与污染物保持能力。

☑  High Flow产品设计

在精密过滤的同时，支持更高流量应用需求。

☑  高洁净度平台

降低过滤器自身对光刻化学品带来的污染风险。

☑  稳定化学品供应

帮助维持化学品输送与光刻工艺运行的稳定性。

先进光刻，不只是“过滤得更小”

Nylon High Flow 2nm的核心记忆点，是“2nm + High Flow”。在微小颗粒控制之外，兼顾流量和系统效率，帮助客户获得更平衡的工艺表现。

研磨液大颗粒LPC去除

CMP过滤的难点，并不是简单追求更小孔径。研磨液中既包含发挥抛光作用的有效颗粒，也可能出现团聚颗粒、LPC大颗粒和凝胶。过滤不足会增加缺陷风险，过滤方式不匹配也可能影响浆料颗粒分布。

CMP研磨液大颗粒与凝胶控制

面向Oxide、W及Copper CMP研磨液中的LPC大颗粒、团聚颗粒及凝胶去除。

☑  30 nm CMP过滤平台

北京生产，面向CMP研磨液大颗粒控制。

☑  先进熔喷工艺

针对CMP浆料过滤需求开发。

☑  囊式结构设计

便于系统集成，并提供稳定过滤表现。

☑  高效去除团聚颗粒与凝胶 

降低异常大颗粒进入抛光工艺的风险。

☑  保持浆料颗粒分布

在去除不需要的大颗粒与凝胶时，尽可能维持有效浆料颗粒状态。

UCA Nylon作为PBJ UCA先进解决方案的重要组成，将与UCA 30nm共同呈现CMP浆料过滤的多样化产品选择。

去除不需要的，保留真正有用的

PBJ UCA的传播重点，是对异常大颗粒、团聚颗粒与凝胶的针对性控制，同时关注浆料颗粒分布与CMP工艺稳定性，帮助降低划伤等缺陷风险。

先进制造的挑战，从来不是单一产品可以解决的。

依托覆盖气体过滤、光刻过滤、高纯化学品过滤、CMP过滤以及技术服务在内的完整能力布局，颇尔正将单点产品优势进一步整合为覆盖关键制程的污染控制体系。

无论是Xpresskleen®系列在湿法工艺中的快速复线能力，Nylon High Flow在先进光刻中的高流量精密过滤，还是PBJ UCA在CMP工艺中的异常颗粒管理，其背后体现的都是同一个理念：

以更先进的过滤技术，支撑更稳定的工艺表现；以更全面的污染控制，助力更高的制造良率。

在WESEMiBAY 2026现场，颇尔将集中展示覆盖气体过滤、光刻过滤、高纯化学品过滤及CMP过滤的先进解决方案，并与行业专家共同探讨下一代半导体制造的污染控制趋势。

期待与您共同探索

先进半导体制造的下一种可能