WESEMiBAY 2026︱AI时代先进制程竞争加速，如何构建半导体制造的全流程污染控制体系？

人工智能、大数据和高性能计算持续推动半导体产业技术升级。先进制程向更小节点演进，3D堆叠、Chiplet等创新架构快速普及，制造过程对洁净度和污染控制提出了更严苛的要求。

在纳米级工艺条件下，微小颗粒、金属离子、分子杂质、凝胶甚至微泡，都可能被工艺放大并影响器件性能与生产良率。对于晶圆制造、先进封装及半导体材料企业而言，污染控制不再是某一道工序的单点问题，而是贯穿气体、化学品、光刻、湿法与CMP等关键环节的系统工程。

颇尔围绕先进半导体制造关键节点形成气体纯化、光刻过滤、湿法化学品过滤、CMP浆料过滤及客户改进项目等解决方案组合。

惰性气体、稀有气体及腐蚀性气体广泛应用于沉积、刻蚀、扩散等关键工艺。随着先进制程持续演进，工艺窗口不断收窄，气体输送系统中的纳米级颗粒污染可能直接影响设备稳定运行和晶圆良率。颗粒一旦进入关键制程，可能导致缺陷增加、设备性能下降以及工艺波动，因此持续稳定的颗粒控制能力已成为先进制造的重要基础。气体过滤器的核心任务是去除气流中的颗粒污染物，并保护下游设备、减压阀、MFC等关键部件。

颇尔 Gaskleen^®等气体过滤产品覆盖从Bulk Gas到 Point of Use（POU）的多种应用场景，可实现纳米级颗粒过滤，并适用于不同气体介质、流量和系统配置需求。凭借严格的制造与洁净控制标准，产品能够有效去除气流中的颗粒污染物，降低颗粒引起的缺陷风险，同时保护关键气体输送部件，为先进制程提供稳定可靠的气体过滤解决方案。

• 降低颗粒污染进入关键工艺的风险

• 保护阀门、Regulator、MFC 等关键部件

• 减少颗粒导致的缺陷和良率损失

• 提升设备运行稳定性和工艺一致性

• 构建从气源到使用点的完整颗粒控制体系

光刻胶、显影液及相关高纯化学品中的颗粒、凝胶、金属离子和微气泡等污染物，可能引发涂膜缺陷、图形异常及关键尺寸偏差，进而影响图形转移精度和最终良率。随着制程节点不断微缩，缺陷控制尺寸和污染物容限持续降低，对过滤系统的颗粒截留能力、洁净度、化学兼容性以及初始使用阶段的稳定性提出了更高要求。

颇尔光刻过滤产品采用 Nylon、HDPE 等高性能膜材料，并针对光刻胶、显影液及相关高纯化学品的特性进行结构设计，可实现 sub-1 nm 级颗粒污染控制，并有效降低凝胶、金属污染物及微气泡带来的工艺风险。同时，产品具备良好的初始洁净性能，有助于缩短系统冲洗时间、减少上线初期的化学品消耗，提升光刻工艺的稳定性和缺陷控制能力。

• 以sub-1nm级颗粒控制应对先进光刻的严苛洁净要求

• 降低颗粒、凝胶、金属污染物及微气泡对工艺稳定性的影响

• 缩短系统冲洗时间，提升设备导入与启动效率

• 减少启动阶段化学品消耗，提升制程稳定性与综合运营效率

湿法清洗和湿法刻蚀需要使用HF、BOE、硫酸等多种高纯化学品。药液中的微小颗粒或金属离子污染可能导致工艺稳定性下降，甚至增加设备和晶圆表面的污染风险。过滤系统不仅需要有效去除微粒，也严格管控滤材自身的洁净度和金属离子析出。

针对各种不同应用的高纯化学品应用，颇尔 Xpresskleen®过滤器可实现 sub-1 nm 级精密污染控制，高效去除微小颗粒和污染物，同时保持低金属离子析出水平，为蚀刻与清洗工艺提供持续稳定的高洁净化学环境。

• 以sub-1nm级颗粒控制支持先进湿法工艺

• 严格管控过滤器带来的金属离子析出风险

• 帮助维持刻蚀与清洗过程的工艺的稳定性

• 为高纯化学品从输送到使用端提供洁净保障

CMP浆料需要保留发挥抛光作用的有效颗粒，同时去除异常团聚物和污染物。过度过滤可能改变浆料特性，过滤不足则可能增加划伤、凹坑及抛光不均等缺陷。因此，CMP过滤的关键不是简单追求更小孔径，而是精准管理浆料颗粒状态与过滤性能之间的平衡。

颇尔CMP浆料过滤产品可实现低至30nm级颗粒控制，通过管理浆料中的异常颗粒、团聚物及污染风险，帮助稳定抛光表现。其应用价值还包括提升浆料利用效率、降低系统维护频率，并优化总体运营成本。

• 低至30nm级颗粒控制，兼顾污染去除与浆料性能

• 减少划伤、凹坑和抛光不均等缺陷风险

• 提升浆料利用效率并稳定CMP工艺表现

• 降低维护频率，优化总体拥有成本

随着3D堆叠、Chiplet等架构发展，先进封装对工艺气体、高纯化学品、湿法处理及CMP等环节的洁净控制提出更高要求。不同工艺的污染来源和控制目标并不相同，需要从整体流程识别风险，而不是依赖单一过滤点位。

颇尔可基于气体纯化、光刻和湿法化学品过滤、CMP浆料管理等既有技术平台，支持客户围绕先进封装相关工艺开展污染控制讨论。该板块建议在最终发布前由微电子技术团队补充已确认的先进封装具体应用点位和产品型号，避免将前道产品能力直接泛化。

• 建立贯穿多种关键流体的污染控制思路

• 支持先进封装相关湿法、化学品与CMP环节讨论

• 从单点产品选择延伸至整体工艺风险识别

• 为客户后续应用评估与技术交流建立入口

真正有效的污染控制，需要把产品性能放回具体工艺中验证。WESEMiBAY 2026期间，欢迎来到颇尔展位，与我们的技术专家面对面交流。

无论您正在关注先进制程、先进封装、高纯化学品，还是气体、光刻、湿法与 CMP 环节中的污染挑战，从单点产品选型，到全流程污染风险识别，颇尔期待与您共同探讨更贴近实际制程的解决方案，和技术专家一起找到答案。