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特性

邀请函 | 颇尔公司即将亮相第27届集成电路制造年会,共话良率提升新机遇

 

盛会启幕,邀您见证!第27届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD)将于2025年9月10日至12日在深圳国际会展中心盛大开幕。本届年会汇聚行业权威,共谋发展新篇。作为半导体过滤、分离和纯化技术应用解决方案提供者,颇尔应邀出席,并将于9月12日10:45-11:10发表专题技术演讲,聚焦尖端制造痛点,分享创新解决方案,赋能产业未来。

 

一年一度的 CICD 已陪伴中国集成电路产业走过 27 载。本届大会以“聚力芯势能·智建供应链”为主题,汇聚制造、设备、材料、设计、封测全产业链 3000+ 专业人士。当制程节点逼近 2 nm,良率每提升 0.1%,背后都离不开过滤、纯化与微环境控制的“细节革命”。

 

精彩剧透

01 演讲题目

 

《先进过滤技术驱动半导体良率跃升开启产业变革新纪元》

 

02 讲师简介

 

王宁,现任颇尔(中国)有限公司微电子事业部技术经理,从事半导体相关设备与制程多年,2022 年加入颇尔,致力于将深厚的设备、工艺经验转化为颇尔 Pall 过滤产品的尖端应用方案,助力客户在先进节点实现良率跃升。

 

03 演讲摘要

 

随着芯片制造技术的快速发展,晶体管技术节点已发展至 3 nm,单颗芯片集成度突破 2000 亿级。半导体行业技术以“光速”刷新极限。产品良率又直接关系着企业的成本与竞争力。即使是极小的污染物,(如金属颗粒,有机物等),一旦进入制造环节,都有可能会引发线路短路,断路等缺陷,进而导致芯片出现缺陷,严重影响良率。

 

Pall作为一家专注于过滤器研发与生产的公司,始终以客户需求为己任,利用多年的滤膜开发经验,不断推出新的制膜技术与清洗技术,始终坚持以更高效,更快速,更洁净为产品开发方向,相继开发出PTFE 1nm& Hapas sub 1nm以及用于IPA 可以同时兼顾去除particle和金属的sub  1nm产品。真正从源头降低制程过程中可能的干扰因素,做好半导体制造过程中“守门人”角色。